Новосибирские ученые Института физики полупроводников имени Ржанова СО РАН, заявили, что создали самую быструю флешку в мире. Устройство памяти создано на основе мультиграфена. Принцип ее действия основан на впрыскивании и хранении электрического заряда в запоминающей среде.
- Так как для флеш-памяти на основе мультиграфена требуется тонкий туннельный слой, то быстродействие повышается в два-три раза. Ко всему прочему, мы можем использовать более низкие напряжения перепрограммирования, а большая работа выхода позволяет долго хранить инжектированный заряд, — отмечает старший научный сотрудник ИФП СО РАН кандидат физико-математических наук Юрий Новиков.
Образцы инновационных флеш-карт уже разработали, правда пустить на производство пока не удастся. Для этого требуется завод с современными технологиями. Стоить он будет около пяти миллиардов долларов.